第6页_SDRAM（同步动态存储器）_元器件产品_深圳市迅丰达电子科技有限公司

企业信息

深圳市迅丰达电子科技有限公司

卖家积分： 4001分-5000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

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优势库存(1000)

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今日特价(5)

集成电路(IC)(321)

电源IC(214)

>LDO(13)
>DC-AC(2)
>DC-DC(50)
>LED驱动IC(20)
>稳压IC(26)
>充电管理IC(2)
>其他电源IC(101)

半导体存储器(708)

二极管(26)

三极管(6)

>贴片/片式/SMD三极管(1)
>其他三极管(5)

场效应管MOSFET(50)

可控硅IGBT(6)

单片机(114)

>单片机MCU(114)

电感器(4)

>贴片电感(4)

传感器(13)

元器件产品

供应K4F6E3D4HB-MGCJ 原装 LPDDR4

型号:K4F6E3D4HB-MGCJ 制造商:SAMSUNG/三星封装:FBGA 批次:23+ 无铅/环保:无铅/环保

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联系人：陈小姐

电话：13824331138

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供应K4F6E3S4HM-GFCL 原装 LPDDR4

型号:K4F6E3S4HM-GFCL 制造商:SAMSUNG/三星封装:FBGA 批次:23+ 无铅/环保:无铅/环保

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联系人：陈小姐

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供应K4E6E304EB-AGCF 原装 LPDDR3

型号:K4E6E304EB-AGCF 制造商:SAMSUNG/三星封装:FBGA 批次:23+ 无铅/环保:无铅/环保

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联系人：陈小姐

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供应K4F6E3D4HB-MFCH 原装 LPDDR4

型号:K4F6E3D4HB-MFCH 制造商:SAMSUNG/三星封装:FBGA 批次:23+ 无铅/环保:无铅/环保

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供应H9HKNNNCRMBVAR-NEH 原装 LPDDR4

型号:H9HKNNNCRMBVAR-NEH 制造商:SK Hynix /海力士封装:BGA 批次:23+ 无铅/环保:无铅/环保

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供应 H9HKNNNCTUMUBR-NLH 原装 LPDDR4

型号:H9HKNNNCTUMUBR-NLH 制造商:SK Hynix /海力士封装:BGA 批次:21+/22+ 无铅/环保:无铅/环保

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供应H9HKNNNFBMMVAR-NEH 原装 LPDDR4X

型号:H9HKNNNFBMMVAR-NEH 制造商:SK Hynix /海力士封装:FBGA 批次:23+ 无铅/环保:无铅/环保

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原装K4B4G1646E-BYMA同步动态随机存储器

型号:K4B4G1646E-BYMA 制造商:SAMSUNG/三星封装:BGA 批次:23+ RoHS:是

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原装 K4E6E304EC-EGCF 全新 LPDDR3

型号:K4E6E304EC-EGCF 制造商:SAMSUNG/三星封装:BGA 批次:23+ 电压:1.8 / 1.2 / 1.2 V

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原装H9HCNNNCPUMLHR-NME LPDDR4X

型号:H9HCNNNCPUMLHR-NME 制造商:SK Hynix /海力士封装:BGA 批次:23+ 电压:1.1V

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原装K4B2G1646F-BCMA DDR3

型号:K4B2G1646F-BCMA 制造商:SAMSUNG/三星封装:BGA 批次:23+ 无铅/环保:无铅/环保

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全新原装H9HCNNNBKUMLHR-NME LPDDR4

型号:H9HCNNNBKUMLHR-NME 制造商:SK Hynix /海力士封装:BGA 批次:23+ 无铅/环保:无铅/环保

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原装 H9HCNNNBKMALHR-NEE LPDDR4

型号:H9HCNNNBKMALHR-NEE 制造商:SK HYNIX 电压:1.1V 批次:23+ 封装:FBGA-200

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K4B4G1646D-BFMA动态随机存储器

型号:K4B4G1646D-BFMA 制造商:SAMSUNG 电压:1.35 V 批次:23+ 封装:BGA

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W9751G6NB-25原装 DDR2

型号:W9751G6NB-25 制造商:Winbond 封装:FBGA 批次:23+ 无铅/环保:无铅/环保

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