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铁电存储器，简称FRAM或FeRAM，FRAM采用铁电晶体材料作为存储介质，利用铁电晶体材料电压与电流关系具有特征滞后回路的特点来实现信息存储。

FRAM技术特点：

非易失性：断电后数据不会丢失，是非易失性存储器；

读写速度快：无延时写入数据，可覆盖写入；

寿命长：可重复读写，重复次数可达到万亿次，耐久性强，使用寿命长；

功耗低：待机电流低，无需后备电池，无需采用充电泵电路；

可靠性高：兼容CMOS工艺，工作温度范围宽，可靠性高。

FRAM产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

FRAM凭借诸多特性，正在成为存储器未来发展方向之一，根据新思界产业研究中心发布的《2022-2027年中国FRAM（铁电存储器）行业市场深度调研及发展前景预测report》显示，FRAM存储密度较低，容量有限，无法完全取代DRAM与NAND Flash，但在对容量要求不高、读写速度要求高、读写频率高、使用寿命要求长的场景中拥有发展潜力。FRAM可以应用于消费电子领域，比如智能手表、智能卡以及物联网设备制造中；汽车领域，比如Senior驾驶辅助系统（ADAS）制造；工业机器人领域，比如控制系统制造等领域。

目前主流的铁电材料主要是锆钛酸铅（PZT）和钽酸锶铋(SBT)，但其存在疲劳退化问题，并导致对环境的污染。目前氧化铪(HfO2)中被发现存在铁电相，可以通过将硅(Si)掺杂到HfO2中来稳定铁电相，且不会污染晶圆厂。尽管如今HfO2并未用于生产FRAM，但它具有广阔的前景，业界正在研究这一技术路线。