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11月7日，三星电子宣布已开始量产三星产品中具有highest 存储密度的1Tb（太字节）三级单元（TLC）第8代V-NAND。

1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有highest的存储密度，可为 the whole worl企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。

据介绍，三星第八代V-NAND采用3D缩放（3D scaling）技术，不仅可以减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。

通过3D缩放技术，三星可显著提升每片晶圆的存储密度。基于 latest  NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其输入和输出（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

三星表示，第8代V-NAND有望成为存储配置的基石，帮助扩展下一代企业服务器的存储容量，同时其应用范围还将拓展至可靠性尤为重要的车载市场。