发布时间： 2023/4/14 10:14:35 | 108 次阅读
随着高性能半导体需求的不断增加，半导体市场越来越意识到“封装工艺”的重要性。顺应发展潮流，SK海力士为了量产基于HBM的先进封装产品和开发下一代封装技术，尽力确保生产线投资与资源。
追溯SK海力士封装技术的发展历程，在堆叠竞争时期，SK海力士的封装技术并未表现出显著优势；而随着性能竞争时期的到来，SK海力士的封装技术开始在市场中崭露头角。CoC（芯片内建芯片）技术表现尤为突出，这项技术将凸块互联与引线键合相结合，在提高运行速度和降低成本方面实现了突破。
如今，该技术已专门应用于SK海力士高密度模块的生产和量产。SK海力士还开发了MR-MUF（批量回流模制底部填充）技术并将其应用于HBM产品中。通过这项技术确保了HBM 10万多个微凸块互连的优良质量。此外，该封装技术还增加了散热凸块的数量，同时由于其采用具有高导热性的模制底部填充材料，与竞争产品相比具有更加出色的散热性能。这项技术的应用巩固了SK海力士在HBM市场的地位，并使SK海力士在HBM3市场Take the lead。
在如今的融合时期，SK海力士正积极发展混合键合（Hybrid Bonding）技术，这种技术采用Cu-to-Cu（铜-铜）键合替代焊接。此外，SK海力士也在研究采用Fan-out RDL（扇出型重新分配层）技术等各种封装技术的方案。
混合键合技术可以进一步缩小间距，同时作为一种无间隙键合（Gapless Bonding）技术，在芯片堆叠时不使用焊接凸块（Solder Bump），因此在封装高度上更具优势。此外，扇出型RDL技术适用于多个平台，SK海力士计划将该技术用于Chiplet技术为基础的集成封装。线间距（Line Pitch）和多层（Multi-Layer）是扇出型技术的关键组成部分，SK海力士计划到2025年将确保1微米以下或亚微米（Sub-micron）级水平的RDL技术。
