K4E8E324EB-EGCG 原装 eMMC 的技术参数：
制造商 | SAMSUNG |
工作电压 | 1.8V, 1.2V, 1.2V, 1.2V |
容量 | 8Gb |
RoHS | 是 |
DRAM 类型 | LPDDR3 SDRAM |
封装 / 箱体 | 178FBGA, 11x11.5 |
架构 | 256M x32 (32M x32 x 8banks) |
工作温度 | -25 ~ 85°C |
速率 | 2133Mbps (tCK=0.937ns) |
三星 LPDDR3 (三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器) 的高性能、超快速度和高能效已得到公认，它支持各种移动解决方案，从智能手机到物联网和可穿戴设备，不一而足。
1. 存储器密度更大，高达 6GB,紧凑型封装:
先进的三星 LPDDR3 已在世界范围内被广泛采用，
它的密度得到进一步提高，并具备高性能的多任务处理功能
2. 实现高达 1,866 Mbps 的速度:
三星 LPDDR3 的性能在 LPDDR2 的基础上提升了 20%
可提供更快的速度，从而为移动功能和应用提供更好的支持
3. 可延长电池寿命:
始终开启和始终连接的运行方式要求具备高效性能
三星的 LPDDR3 是一款卓越的产品，可延长电池寿命，而且功耗比上一代降低了 10%
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