原装MT29F2G08ABAEAWP-IT:E NAND FLASH
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E （托盘：960一包）
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR（卷带：1000一包）
NAND Flash SLC 2G 256MX8 TSOP
FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 48-TSOP I
原装MT29F2G08ABAEAWP-IT:E NAND FLASH的技术参数：
制造商 : Micron Technology Inc.
外包装 : TRAY
无铅/环保 : 无铅/环保
电压(伏) ： 3.3 V
速度 : 1 MHZ
存储器类型 : Non-Volatile
存储器构架(格式) : FLASH
存储器容量 : 2Gb (256M x 8)
存储器接口类型 : Parallel
工作电压 : 2.7V ~ 3.6V
存储器类型 : 非易失
存储器格式 : 闪存
技术闪存 : - NAND
存储器接口 : 并联
电压 - 供电 : 2.7V ~ 3.6V
工作温度 : -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 : 表面贴装型
封装/外壳 : 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装 : 48-TSOP I
基本产品编号 : MT29F2G08
RoHS 状态 符合 : ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) : 3（168 小时）
REACH 状态 : 非 REACH 产品
热门现货，原厂原装 有需求联系我们
MT29F64G08CBABBWPR:B 10000 TSOP 21+22+ MICRON/美光 全新原包原装可含税（香港可交） 深圳
KLMBG2JETD-B041 10000 BGA 21+22+ SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交） 深圳
KLMAG1JETD-B041 10000 BGA 21+22+ SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交） 深圳
KLM8G1GETF-B041 10000 BGA 21+22+ SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交） 深圳
KLM4G1FETE-B041 10000 BGA 21+22+ SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交） 深圳
K4E8E324EB-EGCF 10000 BGA 21+22+ SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交） 深圳
K4E6E304EB-EGCF 10000 BGA 21+22+ SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交） 深圳
K4E6E304EC-EGCG 10000 BGA 21+22+ SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交） 深圳
K4B4G1646E-BCNB 10000 BGA 21+22+ SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交） 深圳
K4A8G165WB-BCRC 10000 BGA 21+22+ SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交） 深圳
询价
