原装供应 TC58NVG0S3ETAI0 闪存
东芝 闪存, 1 Gbyte, 48引脚, 并行接口, TSOP封装, 表面贴装安装
闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
1 GBIT (128M × 8 BIT) CMOS NAND E2 PROM
原装供应 TC58NVG0S3ETAI0 闪存 的技术参数：
存储器大小 ： 1 Gbyte
接口类型 ： 并行
封装类型 ： TSOP
引脚数目 ： 48
组织 ： 128M x 8
安装类型 ： 表面贴装
单元类型 ： NAND
原装供应 TC58NVG0S3ETAI0 闪存 的描述：
The TC58NVG0S3E is a single 3.3V 1 Gbit (1,107,296,256 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (2048 + 64) bytes × 64 pages × 1024blocks. The device has two 2112-byte static registers which allow program and read data to be transferred between the register and the memory cell array in 2112-byte increments. The Erase operation is implemented in a single block unit (128 Kbytes + 4 Kbytes: 2112 bytes × 64 pages).
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