2ED020I12-FI 原装 门驱动器
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制造商 |
Infineon |
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产品种类 |
门驱动器 |
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产品 |
IGBT, MOSFET Gate Drivers |
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类型 |
High Side |
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安装风格 |
SMD/SMT |
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封装/箱体 |
DSO-18 |
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激励器数量 |
2 Driver |
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输出端数量 |
2 Output |
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输出电流 |
0.041666667 |
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电源电压 |
14 V to 18 V |
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配置 |
Inverting, Non-Inverting |
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上升时间 |
20 ns |
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下降时间 |
20 ns |
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工作温度 |
- 40 C to + 150 C |
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系列 |
2ED-FI Enhanced |
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输出电压 |
1.7 V |
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技术 |
Si |
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逻辑类型 |
CMOS, TTL |
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传播延迟（max） |
130 ns |
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关闭 |
Yes |
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湿度敏感性 |
Yes |
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工作电源电流 |
3.9 mA |
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工作电源电压 |
14 V to 18 V |
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Pd-功率耗散 |
1.4 W |
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MT29F64G08CBABBWPR:B |
MICRON/美光 |
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KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
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K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
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K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
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K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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