FDMC5614P 全新原装 MOSFET
制造商 | ON Semiconductor |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | Power-33-8 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 13.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 84 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
工作温度 | - 55 C to %2B 150 C |
Pd-功率耗散 | 2.1 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
晶体管类型 | 1 P-Channel |
下降时间/上升时间 | 11 ns/11 ns |
典型关闭延迟时间 | 32 ns |
典型接通延迟时间 | 10 ns |
PowerTrench? P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench? MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
更新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench? MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供excellent的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench? P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
PowerTrench? MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
更新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供excellent的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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