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SK海力士宣布开始量产quan球zui高的321层 1Tb TLC 4D NAND闪存，计划从明年上半年起向客户提供。

SK海力士在此次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug*”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（alignment）矫正技术。SK海力士技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层，由此zui大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提升了59%。

与上一代相比，321层NAND闪存数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场，并逐渐扩大其应用范围。