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据韩媒报道，业界消息称，三星电子正在寻求将 FinFET 技术用于大规模生产10nm以下的DRAM，此举主要为了提高DRAM外围设备和芯片的性能。

三星电子设备解决方案（DS）部门技术官Song Jae-hyuk近日透露，下一代DRAM和 NAND闪存技术的开发正在按照今年制定的时间表顺利进行。

未来DRAM的结构将转变为分别生产外围/芯片和存储单元芯片，然后将它们堆叠起来。FinFET技术仅应用于生产单元驱动电路区域的外围和芯片，DRAM存储单元使用垂直沟道晶体管 (VCT) 或埋入沟道阵列晶体管 (BCAT)。

FinFET是一种主要用于逻辑芯片生产的晶体管结构。与平面型相比，栅极和沟道之间的接触面积更大，具有提高半导体性能和减少漏电流的优点。该技术用于三星电子的14nm及以下代工工艺。

随着DRAM外围和的结构改为FinFET，预计芯片性能和功率效率将得得以提高。用于现有DRAM量产的BCAT具有针对DRAM优化的结构，但在逻辑芯片的量产中存在局限性。此外，随着外围和存储单元的分离，预计DRAM集成度可以提高。目前LPDDR5X等产品的存储单元阵列效率在50%左右。

除三星电子外，SK海力士似乎也准备推出FinFET工艺。SK海力士于今年7月发布了FinFET工艺相关经验工人的招聘启事，招聘包括FinFET器件开发、曝光、蚀刻、沉积和清洗等工艺相关的经验丰富的工人。

目前FinFET结构应用于外围和芯片的具体时间尚未确定，业界预测FinFET技术早将在2027年应用于DRAM量产。