IPD90N04S4L-04 原装 场效应管 的技术参数：
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制造商 |
Infineon |
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产品种类 |
MOSFET |
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RoHS |
是 |
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安装风格 |
SMD/SMT |
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封装/箱体 |
TO-252-3 |
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通道数量 |
1 Channel |
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晶体管极性 |
N-Channel |
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Vds-漏源极击穿电压 |
40 V |
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Id-连续漏极电流 |
90 A |
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Rds On-漏源导通电阻 |
3.2 mOhms |
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Vgs -栅极-源极电压 |
20 V, 16 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压 |
1.2 V |
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Qg-栅极电荷 |
60 nC |
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（min）工作温度 |
- 55 C |
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（max)工作温度 |
+ 175 C |
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Pd-功率耗散 |
71 W |
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配置 |
Single |
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通道模式 |
Enhancement |
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资格 |
AEC-Q101 |
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系列 |
OptiMOS-T2 |
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晶体管类型 |
1 N-Channel |
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下降时间 |
28 ns |
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上升时间 |
11 ns |
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典型关闭延迟时间 |
22 ns |
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典型接通延迟时间 |
7 ns |
IPD90N04S4L-04 原装 场效应管 的 Features
•N-channel - Enhancement mode
•AEC qualified
•MSL1 up to 260°C peak reflow
•175°C operating temperature
•Green Product (RoHS compliant)
•100% Avalanche tested
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