FDN335N 全新原装 MOSFET
制造商 | ON Semiconductor |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SSOT-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 8 V |
工作温度 | - 55 C to + 150 C |
Pd-功率耗散 | 500 mW (1/2 W) |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
正向跨导 （MIN） | 7 S |
下降时间 | 8.5 ns |
上升时间 | 8.5 ns |
典型关闭延迟时间 | 11 ns |
典型接通延迟时间 | 5 ns |
General DescriptionThis
N-Channel 2.5V specified MOSFET is producedusing Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrenchprocess that has been especially tailored to minimize theon-state resistance and yet maintain low gate charge forsuperior switching performance
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