NVMFS5C450NLWFAFT1G 原装MOSFET
Power MOSFET 40 V, 2.8 m, 110 A, Single N−Channel
MOSFET
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。 MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。
NVMFS5C450NLWFAFT1G 原装MOSFET的特征：
1. Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
2. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
3. Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
4. NVMFS5C450NLWF−Wettable Flank Option for Enhanced Optical
5. Inspection
6. AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
7. These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
NVMFS5C450NLWFAFT1G 原装MOSFET的技术参数：
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制造商 |
onsemi |
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产品种类 |
MOSFET |
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RoHS |
是 |
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安装风格 |
SMD/SMT |
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封装/箱体 |
SOIC-8 |
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晶体管极性 |
N-Channel |
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通道数量 |
1 Channel |
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Vds-漏源极击穿电压 |
40 V |
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Id-连续漏极电流 |
110 A |
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Rds On-漏源导通电阻 |
2.8 mOhms |
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Vgs -栅极-源极电压 |
- 20 V, + 20 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压 |
1.2 V |
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Qg-栅极电荷 |
35 nC |
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工作温度 |
- 55 C to + 175 C |
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Pd-功率耗散 |
68 W |
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通道模式 |
Enhancement |
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资格 |
AEC-Q101 |
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配置 |
Single |
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下降时间 |
5 ns |
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上升时间 |
110 ns |
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系列 |
NVMFS5C450NL |
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晶体管类型 |
21 ns |
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典型关闭延迟时间 |
11 ns |
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典型接通延迟时间 |
750 mg |
询价
