STD80N4F6 原装 MOSFET
汽车级N沟道40 V、5.5 mOhm典型值、80 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
表面贴装型 N 通道 40 V 80A（Tc） 70W（Tc） DPAK
晶体管- FET，MOSFET -单个
分立式场效应晶体管(FET)广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则IGBT等其他器件更具竞争力。
描述：
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™
DeepGATE™technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.
STD80N4F6 原装 MOSFET 的技术参数：
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制造商 |
STMicroelectronics |
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产品种类 |
MOSFET |
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RoHS |
是 |
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安装风格 |
SMD/SMT |
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封装/箱体 |
TO-252-3 |
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通道数量 |
1 Channel |
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晶体管极性 |
N-Channel |
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Vds-漏源极击穿电压 |
40 V |
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Id-连续漏极电流 |
80 A |
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Rds On-漏源导通电阻 |
6 mOhms |
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Vgs th-栅源极阈值电压 |
4 V |
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Qg-栅极电荷 |
36 nC |
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（min）工作温度 |
- 55 C |
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（max）工作温度 |
+ 175 C |
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Pd-功率耗散 |
70 W |
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配置 |
Single |
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资格 |
AEC-Q101 |
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系列 |
STD80N4F6 |
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晶体管类型 |
1 N-Channel |
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下降时间 |
11.9 ns |
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上升时间 |
7.6 ns |
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典型关闭延迟时间 |
46.1 ns |
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典型接通延迟时间 |
10.5 ns |
STD80N4F6 原装 MOSFET 的特征：
RDS(on) max：6毫欧
VDS ：40 V
Order code：STD80N4F6
ID：80 A
Designed for automotive applications andAEC-Q101 qualified
Low gate charge
Very low on-resistance
High avalanche ruggedness
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