STH13N120K5-2AG 原装 MOSFET
汽车级N沟道1200 V、630 mOhm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，H2PAK-2封装
晶体管- FET，MOSFET -单个
分立式场效应晶体管(FET)广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则IGBT等其他器件更具竞争力。
STH13N120K5-2AG 原装 MOSFET 的描述：
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
STH13N120K5-2AG 原装 MOSFET 的特征：
1. Order code：STH13N120K5-2AG
2. VDS： 1200 V
3. RDS(on) max.：0.69 Ω
4. ID： 12 A
5. PTOT： 250 W
6. AEC-Q101 qualified
7. Industry’s lowest RDS(on) x area
8. Industry’s best FoM (figure of merit)
9. Ultra-low gate charge
10. 100% avalanche tested
11. Zener-protected
STH13N120K5-2AG 原装 MOSFET 的技术参数：
|
制造商 |
STMicroelectronics |
|
产品种类 |
MOSFET |
|
技术 |
Si |
|
安装风格 |
SMD/SMT |
|
封装/箱体 |
H2PAK-2 |
|
晶体管极性 |
N-Channel |
|
通道数量 |
1 Channel |
|
Vds-漏源极击穿电压 |
1.2 kV |
|
Id-连续漏极电流 |
12 A |
|
Rds On-漏源导通电阻 |
690 mOhms |
|
Vgs -栅极-源极电压 |
- 30 V, + 30 V |
|
Vgs th-栅源极阈值电压 |
3 V |
|
Qg-栅极电荷 |
44.2 nC |
|
（min）工作温度 |
- 55 C |
|
（max）工作温度 |
+ 150 C |
|
Pd-功率耗散 |
250 W |
|
通道模式 |
Enhancement |
|
资格 |
AEC-Q101 |
|
封装 |
Reel |
|
封装 |
Cut Tape |
|
封装 |
MouseReel |
|
商标 |
STMicroelectronics |
|
配置 |
Single |
|
下降时间 |
18.5 ns |
|
上升时间 |
11 ns |
|
工厂包装数量 |
1000 |
|
子类别 |
MOSFETs |
|
晶体管类型 |
1 N-Channel |
|
典型关闭延迟时间 |
68.5 ns |
|
典型接通延迟时间 |
23 ns |
询价
