BSC320N20NS3G 原装 场效应管
N沟道200V 36A
BSC320N20NS3G 原装 场效应管的 技术参数：
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制造商 |
Infineon |
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类型 |
N沟道 |
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漏极至源极电压(Vdss) |
200V |
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连续漏极电流(Id) |
36A |
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功率(Pd) |
125W |
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开态Rds（max）@ Id, Vgs @ 25°C |
32mΩ@10V,36A |
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阈值电压(Vgs(th)@Id) |
4V@90uA |
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产品种类 |
场效应管(MOSFET) |
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标准包装 |
5000 |
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类别 |
分离式半导体产品 |
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家庭 |
FET -单 |
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系列 |
OptiMOS™ |
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FET特点 |
逻辑电平门 |
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电流-连续漏极(Id) |
@ 25°C：36A |
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
29nC @ 10V |
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安装类型 |
表面贴装 |
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封装/外壳 |
8-PowerTDFN |
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供应商设备封装 |
PG-TDSON-8（5.15x6.15） |
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包装 |
带卷(TR) |
BSC320N20NS3G 原装场效应管的特征：
•N-channel, normal level
•Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
•Very low on-resistance R DS(on)
•Pb-free lead plating; RoHS compliant
•Qualified according to JEDEC1) for target application
•Halogen-free according to IEC61249-2-21
•Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
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