NDS351AN 原装 场效应管
N-Channel, Logic Level, PowerTrenchò MOSFET
这些n通道逻辑级MOSFET是使用ON半导体的先进动力沟工艺生产的，特别定制，以 zui 小化状态电阻，同时保持优越的开关性能。这些设备特别适合于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路的低压应用，其中快速切换和低在线功率损失需要在一个非常小的轮廓表面安装包。
NDS351AN 原装 场效应管 的技术参数：
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制造商 |
ON Semiconductor |
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产品种类 |
MOSFET |
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RoHS |
是 |
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安装风格 |
SMD/SMT |
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晶体管极性 |
N-Channel |
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通道数量 |
1 Channel |
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Vds-漏源极击穿电压 |
30 V |
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Id-连续漏极电流 |
1.4 A |
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Rds On-漏源导通电阻 |
92 mOhms |
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Vgs -栅极-源极电压 |
20 V |
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工作温度 |
- 55 C to + 150 C |
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Pd-功率耗散 |
500 mW (1/2 W) |
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通道模式 |
Enhancement |
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配置 |
Single |
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晶体管类型 |
1 N-Channel |
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下降时间 |
8 ns |
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上升时间 |
8 ns |
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典型关闭延迟时间 |
16 ns |
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典型接通延迟时间 |
3 ns |
NDS351AN 原装 场效应管 的特征：
1.4A, 30 V
RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 250 mΩ @ VGS = 4.5 V
超低栅极电荷
工业标准外形SOT-23表面贴装封装采用专有SuperSOTTM-3设计，具有优异的热性能和电气性能
高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
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