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TC58NVG2S3ETAI0 原装 NAND FLASH
FLASH - NAND SCL 存储器 IC 4Gb(512M x 8) 并联 25 ns 48-TSOP
TC58NVG2S3ETAI0 原装 NAND FLASH 的技术参数:
制造商:
Kioxia
产品种类:
NAND闪存
RoHS:
是
安装风格:
SMD/SMT
接口类型:
Parallel
封装 / 箱体:
TSOP-48
存储容量:
4 Gbit
组织:
512 M x 8
数据总线宽度:
8 bit
电源电压:
2.7 V TO 3.6 V
电源电流(MAX):
30 mA
工作温度:
-40 C TO +85 C
封装:
Tray
存储类型:
NAND
湿度敏感性:
Yes
产品类型:
NAND Flash
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TC58NVG1S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠
TC58NVG0S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠
TC58NVG0S3ETAI0 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠
TC58BVG1S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠
TC58BVG0S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠
NT5CC64M16GP-DII 10000 BGA 22+ NANYA/南亚
NT5CC128M16JR-EK 10000 BGA 22+ NANYA/南亚
NT5AD512M16C4-HR 10000 BGA 22+ NANYA/南亚
NT5AD512M16A4-HR 10000 BGA 22+ NANYA/南亚
NT5AD256M16D4-HR 10000 BGA 22+ NANYA/南亚
KMGX6001BA-B514 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
KMGP6001BA-B514 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4A8G165WC-BCTD 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4A8G165WC-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4A8G165WB-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4A4G165WF-BCTD 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4A4G165WE-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
H9HCNNNCPUMLHR-NME 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士
H5AN8G6NCJR-VKC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士
H5AN4G6NBJR-VKC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士
H5AN4G6NBJR-UHC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士
H26M41208HPR 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士
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MTFC4GACAJCN-1MWT 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光
MT53E256M32D2DS-053WT:B 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光
MT53D512M64D4HR-053WT:D 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光