K9F2G08UOD-SCBO原装 NAND FLASH
K9F2G08UOD-SCBO原装 NAND FLASH 的技术参数：
商品目录
NOR FLASH
存储器构架(格式)
FLASH
存储器容量
2Gb (256M x 8)
工作电压
2.7V ~ 3.6V
封装
TSOP-48
工作温度
0~ 85 °C
热门现货，原厂原装 有需求联系我们
"MT29F64G08CBABBWPR:B MICRON/美光 全新原包原装可含税（香港可交）"
"KLMBG2JETD-B041 SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交）"
"KLMAG1JETD-B041 SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交）"
"KLM8G1GETF-B041 SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交）"
"KLM4G1FETE-B041 SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交）"
"K4E8E324EB-EGCF SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交）"
"K4E6E304EB-EGCF SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交）"
"K4E6E304EC-EGCG SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交）"
"K4B4G1646E-BCNB SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交）"
"K4A8G165WB-BCRC SAMSUNG/三星 全新原包原装可含税（香港可交）"
THGBMNG5D1LBAIL 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠
THGBMJG7C1LBAIL 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠
THGBMJG6C1LBAIL 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠
THGBMHG6C1LBAIL 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠
TC58NVG1S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠
TC58NVG0S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠
KMGX6001BA-B514 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
KMGP6001BA-B514 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
KMFN60012M-B214 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
KMDX60018M-B425 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
KLMDG8JENB-B041 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
KLMCG4JETD-B041 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
KLMBG2JETD-B041 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
KLMAG1JETD-B041 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
KLM8G1GETF-B041 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
KLM4G1FETE-B041 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K9F1G08U0E-SIB0 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4Z80325BC-HC14 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4G80325FC-HC25 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4E8E324ED-EGCG 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4E8E324EB-EGCF 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4E6E304EB-EGCF 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4E6E304ED-EGCG 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4E6E304EC-EGCG 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4E6E304EC-EGCF 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4B4G1646E-BYMA 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4B4G1646E-BYK0 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4B4G1646E-BCNB 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
询价
