AUIRLS3034-7TRL 原装 晶体管- FET，MOSFET -单个
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类别 |
晶体管- FET，MOSFET -单个 |
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制造商 |
Infineon |
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系列 |
HEXFET® |
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包装 |
卷带（TR） |
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Product Status |
不适用于新设计 |
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FET类型 |
N通道 |
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技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
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漏源电压（Vdss） |
40V |
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25°C时电流-连续漏极(Id) |
240A |
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驱动电压（zui大Rds On，zui小Rds On） |
4.5V，10V |
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不同Id、Vgs时导通电阻（max） |
1.4毫欧@ 200A，10V |
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不同Id时Vgs(th)（max） |
2.5V @ 250μA |
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不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（max） |
180 nC @ 4.5 V |
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Vgs（max） |
±20V |
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不同Vds时输入电容(Ciss)（max） |
10990 pF @ 40 V |
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功率耗散（max） |
380W（Tc） |
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工作温度 |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
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安装类型 |
表面贴装型 |
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供应商器件封装 |
D2PAK（7-Lead） |
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MT29F64G08CBABBWPR:B |
MICRON/美光 |
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KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
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K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
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K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
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K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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