IRF3205PBF 原装 MOSFET
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制造商 |
Infineon |
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产品种类 |
MOSFET |
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RoHS |
是 |
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技术 |
Si |
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安装风格 |
Through Hole |
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封装/箱体 |
TO-220-3 |
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晶体管极性 |
N-Channel |
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通道数量 |
1 Channel |
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Vds-漏源极击穿电压 |
55 V |
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Id-连续漏极电流 |
110 A |
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Rds On-漏源导通电阻 |
8 mOhms |
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Vgs -栅极-源极电压 |
- 20 V, + 20 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压 |
2 V |
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Qg-栅极电荷 |
97.3 nC |
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工作温度 |
- 55 C+ to 175 C |
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Pd-功率耗散 |
150 W |
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通道模式 |
Enhancement |
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封装 |
Tube |
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配置 |
Single |
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产品类型 |
MOSFET |
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工厂包装数量 |
1000 |
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子类别 |
MOSFETs |
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晶体管类型 |
1 N-Channel |
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安装风格 |
Through Hole |
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封装/箱体 |
TO-220-3 |
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晶体管极性 |
N-Channel |
只做原装，价格优势，原盒原标 ，22+有需要的联系
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MT29F64G08CBABBWPRB |
MICRON/美光 |
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KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
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K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
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K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
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K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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