NTD25P03LT4G原装 MOSFET
|
制造商 |
onsemi |
|
安装风格 |
SMD/SMT |
|
工作温度 |
- 55 C~+ 150 C（TA） |
|
封装/箱体 |
TO-252-4 |
|
晶体管极性 |
P-Channel |
|
通道数量 |
1 Channel |
|
Vds-漏源极击穿电压 |
30 V |
|
Id-连续漏极电流 |
25 A |
|
Rds On-漏源导通电阻 |
80 mOhms |
|
Vgs -栅极-源极电压 |
- 5 V, + 5 V |
|
Vgs th-栅源极阈值电压 |
1 V |
|
Qg-栅极电荷 |
15 nC |
只做原装，价格优势，原盒原标 ，22+有需要的联系
|
MT29F64G08CBABBWPRB |
MICRON/美光 |
|
KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
|
KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
|
KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
|
KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
|
K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
|
K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
|
K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
|
K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
|
K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
|
K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
|
K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
|
K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
询价
