MRFE6S9125NR1原装 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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晶体管类型 |
LDMOS |
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频率 |
880MHz |
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增益 |
20.2dB |
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电压 - 测试 |
28 V |
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电流 - 测试 |
950 mA |
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功率 - 输出 |
27W |
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电压 - 额定 |
66 V |
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封装/外壳 |
TO-270AB |
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供应商器件封装 |
TO-270 WB-4 |
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晶体管极性: |
N-Channel |
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技术: |
Si |
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Vds-漏源极击穿电压: |
- 500 mV, 66 V |
只做原装，价格优势，原盒原标 ，22+有需要的联系
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KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
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K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
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K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
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K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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H5AN8G6NCJR-VKC |
SK HYNIX/海力士 |
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H5AN4G6NBJR-VKC |
SK HYNIX/海力士 |
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H5AN4G6NBJR-UHC |
SK HYNIX/海力士 |
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H26M41208HPR |
SK HYNIX/海力士 |
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H26M41204HPR |
SK HYNIX/海力士 |
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MTFC8GAKAJCN-4MIT |
MICRON/镁光 |
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MTFC4GACAJCN-4MIT |
MICRON/镁光 |
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MTFC4GACAJCN-1MWT |
MICRON/镁光 |
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MT53E256M32D2DS-053WTB |
MICRON/镁光 |
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MT53D512M64D4HR-053WTD |
MICRON/镁光 |
询价
