NTR4101PT1G原装 场效应管(MOSFET)
MOSFET–Power, Single P-Channel, Trench, SOT-23 -20 V
NTR4101PT1G原装 场效应管(MOSFET) 的技术参数：
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FET 类型 |
P沟道 |
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技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
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漏源电压（Vdss） |
20V |
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) |
1.8V(Ta) |
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驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On） |
1.8V，4.5V |
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（max） |
85 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
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不同 Id 时 Vgs(th)（max） |
1.2V @ 250μA |
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（max） |
8.5 nC @ 4.5 V |
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Vgs（max） |
±8V |
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（max） |
675 pF @ 10 V |
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功率耗散（max） |
420mW（Ta） |
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工作温度 |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
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供应商器件封装 |
SOT-23-3（TO-236） |
只做原装，价格优势，原盒原标，22+有需要的联系
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KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
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K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
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K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
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K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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H5AN8G6NCJR-VKC |
SK HYNIX/海力士 |
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H5AN4G6NBJR-VKC |
SK HYNIX/海力士 |
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H5AN4G6NBJR-UHC |
SK HYNIX/海力士 |
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H26M41208HPR |
SK HYNIX/海力士 |
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H26M41204HPR |
SK HYNIX/海力士 |
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MTFC8GAKAJCN-4MIT |
MICRON/镁光 |
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MTFC4GACAJCN-4MIT |
MICRON/镁光 |
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MTFC4GACAJCN-1MWT |
MICRON/镁光 |
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MT53E256M32D2DS-053WTB |
MICRON/镁光 |
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MT53D512M64D4HR-053WTD |
MICRON/镁光 |
询价
