NVGS5120PT1G原装 场效应管(MOSFET)
单P沟道功率MOSFET -60V，-2.9A，111mΩ
适用于低功率应用的汽车用功率MOSFET。-60V -2.9A，111 Ω，单P沟道，TSOP-6，逻辑电平。通过AEC-Q101 certification 的MOSFET，符合生产件批准程序(PPAP)，适用于汽车应用。
特性：
·Leading Edge Trench Technology for Low RDS(on)
·4.5 V Gate Rating
·AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
应用：
·Load Switch
·Power Switch for Printer and Communication Equipments
·Low Current Inverter and DC-DC
优势：System Efficiency Improvement
终端产品：Infotainment systems. Radios. Navigation systems. Clusters
NVGS5120PT1G原装 场效应管(MOSFET) 的技术参数：
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类型 |
P沟道 |
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连续漏极电流(Id) |
2.1A |
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功率(Pd) |
1.1W |
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导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) |
72mΩ@10V,2.9A |
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阈值电压(Vgs(th)@Id) |
3V@250uA |
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栅极电荷(Qg@Vgs) |
18.1nC@10V |
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输入电容(Ciss@Vds) |
942pF@30V |
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反向传输电容(Crss@Vds) |
48pF@30V |
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工作温度 |
-55℃~+150℃@(Tj) |
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25°C时电流-连续漏极(Id) |
1.8A(Ta) |
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驱动电压（zui大Rds On，zui小Rds On） |
4.5V，10V |
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不同Id、Vgs时导通电阻（max） |
111毫欧@ 2.9A，10V |
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Vgs（max） |
±20V |
只做原装，价格优势，原盒原标，22+有需要的联系
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KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
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K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
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K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
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K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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H5AN8G6NCJR-VKC |
SK HYNIX/海力士 |
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H5AN4G6NBJR-VKC |
SK HYNIX/海力士 |
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H5AN4G6NBJR-UHC |
SK HYNIX/海力士 |
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H26M41208HPR |
SK HYNIX/海力士 |
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H26M41204HPR |
SK HYNIX/海力士 |
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MTFC8GAKAJCN-4MIT |
MICRON/镁光 |
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MTFC4GACAJCN-4MIT |
MICRON/镁光 |
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MTFC4GACAJCN-1MWT |
MICRON/镁光 |
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MT53E256M32D2DS-053WTB |
MICRON/镁光 |
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MT53D512M64D4HR-053WTD |
MICRON/镁光 |
询价
