PNM723T201E0 原装 MOSFET及IGBT驱动器 的技术参数：
制造商 | Prisemi |
描述 | N-Channel MOSFET |
外包装 | Tape & Reel |
丝印 | P2 |
安装类型 | 贴片安装 |
类别 | 场效应管(MOSFET) |
漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 1A |
功率(Pd) | 140nW |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 250mΩ@4.5V,650mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@1mA |
极性 | N-Channel, PNP |
PNM723T201E0 原装 MOSFET及IGBT驱动器的描述
The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.
MT29F64G08CBABAWP固带 10K 23+
KLM8G1GETF-B041 10K 23+
KLMBG2JETD-B041 10K 23+
KLMAG1JETD-B041 10K 23+
K4E6E304EC-EGCG 10K 23+
K4B4G1646E-BCNB 10K 23+
K4F6E3S4HM-MGCJ 10K 23+
K4AAG165WA-BCWE 10K 23+
K4B4G0846E-BCNB 10K 23+
H5TC4G83BFR-PBA 95 17+
H26M41204HPR 5 20+
SDTNRGAMA-008G 35 21+
K4UBE3D4AA-MGCL 10K 23+
K4UBE3D4AB-MGCL 10K 23+
K4U6E3S4AA-MGCR 10K 23+
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