原装H9HCNNNCPUMLHR-NME DRAM动态随机存储器 的技术参数：
制造商 ： SK HYNIX
存储器类型 ： LPDDR4
框架 ： 2GX16
容量 ： 32GB
产品类型 ： 随机动态存储器
温度 ： -25°C~+85°C
速度 ： 1866MHZ
电压 ： 1.1V
封装 ： FBGA-200
无铅/环保 ： 无铅/环保
Package Material ： Lead & Halogen Free
Generation ： 1st
Hynix Memory ： H
Product Mode ： LPDDR4 Only
Dram Voltage ： 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option ： None
Dram Density ： 32Gb, QDP, 2Ch, 2CS
Nvm Speed ： none
全新原包原装可含税（香港可交）
H9HCNNNCPMALHR-NEE
H9HCNNNBPUMLHR-NMO
H9HCNNNBPUMLHR-NMN
H9HCNNNBKUMLHR-NME
H9HCNNNBKMALHR-NEE
H9HCNNN8KUMLHR-NLN
H9CCNNNCPTALBR-NUD
H9CCNNNBKTALBR-NUD
H9CCNNNBJTALAR-NUD
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