原厂原装MT41K256M16TW-107 IT:P全新 LPDDR3
MT41K256M16TW-107 IT:P 工业级
MT41K256M16TW-107 IT:P（托盘：1368一盘）
MT41K256M16TW-107 IT:P TR（卷带：2000一包）
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb（256M x 16） 并联 933 MHz 20 ns 96-FBGA（8x14）
MT41K256M16TW-107 IT:P全新 LPDDR3的技术参数：
FBGA 编号 ： D9SHG
Data Rate ： DDR3-1866
存储器类型 ： 易失
存储器格式 ： DRAM
技术 ： SDRAM - DDR3L
存储容量 ： 4Gb（256M x 16）
存储器接口 ： 并联
时钟频率 ： 933 MHz
访问时间 ： 20 ns
电压 - 供电 ： 1.283V ~ 1.45V
工作温度 ： -40°C ~ 95°C（TC）
安装类型 ： 表面贴装型
封装/外壳 ： 96-TFBGA
供应商器件封装 ： 96-FBGA（8x14）
RoHS 状态 ： 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) ： 3（168 小时）
REACH 状态 ： 非 REACH 产品
ECCN ： 3A991B1A
HTSUS ： 8542.32.0036
MT41K256M16TW-107 IT:P全新 LPDDR3的特征：
• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)
• Backward compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
– Supports DDR3L devices to be backward compatible in 1.5V applications
• Differential bidirectional data strobe
• 8n-bit prefetch architecture
• Differential clock inputs (CK, CK#)
• 8 internal banks
• Nominal and dynamic on-die termination (ODT)
for data, strobe, and mask signals
• Programmable CAS (READ) latency (CL)
• Programmable posted CAS additive latency (AL)
• Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
• Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4
(via the mode register set [MRS])
• Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
• Self refresh mode
• TC of 105°C
– 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C
– 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C
– 16ms, 8192-cycle refresh at >95°C to 105°C
• Self refresh temperature (SRT)
• Automatic self refresh (ASR)
• Write leveling
• Multipurpose register
• Output driver calibration
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