三代双倍数据率同步动态随机存储器K4B2G1646F-BYMA DDR3
K4B2G1646F-BYMA 的技术参数：
制造商 ： SAMSUNG
工作电压 ： 1.35v
框架 ： 128M x 16
速率 ： 1866Mbps
封装 ： 96FBGA
容量 ： 2Gb
EU RoHS ： Compliant
ECCN (US) ： EAR99
Part Status ： LTB
Automotive ： No
PPAP ： No
DRAM Type ： DDR3 SDRAM
Chip Density (bit) ： 2G
Organization ： 128Mx16
Number of Internal Banks ： 8
Number of Words per Bank ： 16M
Supplier Package ： FBGA
Pin Count ： 96
Standard Package Name ： BGA
Mounting ： Surface Mount
Package Length ： 13.3
Package Width ： 7.5
PCB changed ： 96
Lead Shape ： Ball
全新原包原装可含税（香港可交）
KLMBG2JETD-B041
KLMAG1JETD-B041
KLM8G1GETF-B041
KLM4G1FETE-B041
K4E8E324EB-EGCF
K4E6E304EB-EGCF
K4E6E304EC-EGCG
K4B4G1646E-BCNB
K4A8G165WB-BCRC
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