深圳市迅丰达电子科技有限公司

原装NT5CC128M16JR-EK DDR3L SDRAM

NT5CC128M16JR-EK Commercial and Industrial DDR3(L) 2Gb SDRAM

低功耗双倍数据率同步动态随机存储器 NT5CC128M16JR-EK 的技术参数：

制造商 : NANYA

外包装 : TRAY

封装 : TFBGA-96

无铅/环保 : 无铅/环保

电压(伏) : 1.35v

温度规格 : 0°C~+95°C

速度 : 933 MHZ

特征

Ø Signal Integrity

- Configurable DS for system compatibility

- Configurable On-Die Termination

- ZQ Calibration for DS/ODT impedance accuracy via

external ZQ pad (240 ohm ± 1%)

Ø  Signal Synchronization

- Write Leveling via MR settings ⁵ 

- Read Leveling via MPR

Ø  Interface and Power Supply

- SSTL_15 for DDR3:VDD/VDDQ=1.5V(±0.075V)

- SSTL_135³ for DDR3L:VDD/VDDQ=1.35V(-0.067/+0.1V)

Ø Basis DDR3 Compliant

- 8n Prefetch Architecture

- Differential Clock(CK/CK) and Data Strobe(DQS/DQS)

- Double-data rate on DQs, DQS and DM

Ø Data Integrity

- Auto Self Refresh (ASR) by DRAM built-in TS

- Auto Refresh and Self Refresh Modes

Ø Power Saving Mode

- Power Down Mode 

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