全新MT41K256M16TW-107AIT:P LPDDR3
SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb（256M x 16） 并联 933 MHz 20 ns 96-FBGA（8x14）
全新MT41K256M16TW-107AIT:P LPDDR3的技术参数：
存储器类型 ： 易失
存储器格式 ： DRAM
技术 ： SDRAM - DDR3L
存储容量 ： 4Gb（256M x 16）
存储器接口 ： 并联
时钟频率 ： 933 MHz
访问时间 ： 20 ns
电压 - 供电 ： 1.283V to 1.45V
工作温度 ： -40°C to 95°C（TC）
安装类型 ： 表面贴装型
封装/外壳 ： 96-TFBGA
供应商器件封装 ： 96-FBGA（8x14）
基本产品编号 ： MT41K256M16
全新MT41K256M16TW-107AIT:P LPDDR3的特征：
• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)
• Backward compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
– Supports DDR3L devices to be backward compatible in 1.5V applications
• Differential bidirectional data strobe
• 8n-bit prefetch architecture
• Differential clock inputs (CK, CK#)
• 8 internal banks
• Nominal and dynamic on-die termination (ODT)
for data, strobe, and mask signals
• Programmable CAS (READ) latency (CL)
• Programmable posted CAS additive latency (AL)
• Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
• Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4
(via the mode register set [MRS])
• Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
• Self refresh mode
• TC of 105°C
– 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C
– 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C
– 16ms, 8192-cycle refresh at >95°C to 105°C
• Self refresh temperature (SRT)
• Automatic self refresh (ASR)
• Write leveling
• Multipurpose register
• Output driver calibration
THGBMNG5D1LBAIL 10000 BGA 21+ KOXIA/铠侠 全新原包原装可含税（香港可交） 深圳
THGBMJG7C1LBAIL 10000 BGA 21+ KOXIA/铠侠 全新原包原装可含税（香港可交） 深圳
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