原装FM25CL64B-GTR 铁电存储器(FRAM)
F-RAM 64kbit Serial SPI 3V FRAM
原装FM25CL64B-GTR 铁电存储器(FRAM)的技术参数：
制造商: Cypress Semiconductor
技术: F-RAM
接口类型 SPI
存储容量 64Kbit
时钟频率(fc) 20MHz
工作电压 2.7V~3.65V
工作电流 3mA
待机电流(Isb) 3μA
睡眠模式电流(Izz) -
工作温度 -40℃~+85℃
格式 - 存储器：RAM
存储器类型：FRAM（Ferroelectric RAM）
存储容量：64K（8K x 8）
速度：20MHz
接口：SPI 串行
电压 - 电源：2.7 V ~ 3.65 V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
原装FM25CL64B-GTR 铁电存储器(FRAM)的描述：
FM25CL64B是一个64kbit的非易失性存储器先进的铁电过程。
铁电随机存取内存或F-RAM是非易失性的，可以执行读取和写操作类似于内存。它提供了151年的可靠的数据保留同时消除了复杂性、开销和系统级别由串行闪存、EEPROM等引起的可靠性问题非易失性记忆。
与串行闪光灯和EEPROM不同，FM25CL64B可以执行以总线速度进行写操作。不会发生写入延迟。数据在每个字节之后立即写入内存数组已成功转移到该设备上。下一个巴士周期可以开始时不需要进行数据轮询。
此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。。FM25CL64B-GTR铁电存储器能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。
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