原装FM25W256-GTR 铁电存储器(FRAM)
256-Kbit (32K × 8) Serial (SPI) F-RAM
IC FRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 256Kb（32K x 8） SPI 20 MHz 8-SOIC
原装FM25W256-GTR 铁电存储器(FRAM)的技术参数：
类别 存储器
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 F-RAM™
存储器类型 非易失
存储器格式 FRAM
技术 FRAM（铁电体 RAM）
存储容量 256Kb（32K x 8）
存储器接口 SPI
时钟频率 20 MHz
电压 - 供电 2.7V ~ 5.5V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
基本产品编号 FM25W256
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 3（168 小时）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0071
原装FM25W256-GTR 铁电存储器(FRAM)的描述：
该FM25W256是一个256千位非易失性存储器采用先进的铁电过程。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并执行类似于RAM的读写。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
与串行闪存和EEPROM不同，FM25W256在总线速度下执行写入操作。不产生写入延迟。在每个字节成功传输到设备之后，数据立即写入存储器阵列。
下一个总线周期可以在不需要数据轮询的情况下开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有很大的写入耐久性。FM25W256能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写入周期。
这些功能使FM25W256理想的非易失性存储器应用需要频繁或快速写入。示例范围从数据收集（其中写入周期的数量可能是关键的）到要求工业控制（其中串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失）。
FM25W256为串行EEPROM或闪存的用户提供了实质性的好处，作为硬件替换的替代品。FM25W256采用高速SPI总线，提高了FRAM技术的高速写入能力。设备规格保证在工业温度范围为-40°C至+85°C。
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