K4B4G0846E-BYK0 原装 DDR3
4Gb E-die DDR3L SDRAM
78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
(RoHS compliant)
K4B4G0846E-BYK0 原装 DDR3 的技术参数：
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制造商 |
Samsung |
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技术 |
DDR3 |
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容量 |
4GB（512M x 8） |
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速率 |
1600Mbps |
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封装 |
BGA78 |
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温度规格 |
0 to 85°C TA |
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工作电压 |
1.35/1.5V |
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包装量 |
1120 |
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外包装 |
TRAY |
K4B4G0846E-BYK0 原装 DDR3 的 描述：
The 4Gb DDR3 SDRAM E-die is organized as a 128Mbit x 4 I/Os x 8banks, 64Mbit x 8 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin (DDR3-1866) for general applications.
The chip is designed to comply with the following key DDR3 SDRAM features such as posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, On Die Termination using ODT pin and Asynchronous Reset .
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