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K4B4G0846E-BCMA 原装 DDR3
由于带宽和可靠性得到提升,三星 DDR3 在笔记本电脑、台式机和工业解决方案(包括汽车)等设备中得到广泛应用,且速度均为 DDR2 的两倍。
三星业界先进的 30 纳米级 DRAM 能耗更低,与上一代产品相比,能耗减少了 30%,进而降低了总体拥有成本。
K4B4G0846E-BCMA 原装 DDR3 的技术参数:
脚位/封装 |
FBGA-78 |
外包装 |
TRAY |
无铅/环保 |
无铅/环保 |
电压(伏) |
1.5 V |
温度规格 |
0°C ~+ 85°C |
速度 |
1866 Mbps |
Number Of Words |
512M |
Bit Organization |
x8 |
Density |
4G |
Rohs |
是 |
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NT5CC64M16GP-DII 10000 BGA 22+ NANYA/南亚
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NT5AD512M16C4-HR 10000 BGA 22+ NANYA/南亚
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KMGX6001BA-B514 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
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K4A8G165WC-BCTD 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4A8G165WC-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4A8G165WB-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4A4G165WF-BCTD 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
K4A4G165WE-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星
H9HCNNNCPUMLHR-NME 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士
H5AN8G6NCJR-VKC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士
H5AN4G6NBJR-VKC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士
H5AN4G6NBJR-UHC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士
H26M41208HPR 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士
H26M41204HPR 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士
MTFC8GAKAJCN-4MIT 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光
MTFC4GACAJCN-4MIT 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光
MTFC4GACAJCN-1MWT 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光
MT53E256M32D2DS-053WT:B 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光
MT53D512M64D4HR-053WT:D 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光