供应K4U6ES4AA-MGCL 原装 LPDDR4X
产品用途：LPDDR的全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，LPDDR是DDR的一种，又被称为mDDR，意思就是是低功耗双重数据比率，也就是一个标准，是实现低功耗指定的内存同其他设备的数据交换标准，而且以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。
三星的 LPDDR4 是一款突破性产品，不但数据传输速度更快，而且能耗更低，从而为超薄设备、人工知能 (AI)、虚拟现实 (VR) 和可穿戴设备提供了更多设计方面的选择。通过在采用小型封装的移动 DRAM 中提供更大密度，三星 LPDDR4 支持一系列平台解决方案和更大的容量（高达 8GB）
我司供应的产品包含SAMSUNG(三星)的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC，eMCP等全系列存储产品。
K4U6ES4AA-MGCL 原装 LPDDR4X 的技术参数：
制造商 | SAMSUNG |
类别 | DRAM动态随机存储器 |
RoHS | 是 |
容量 | 16GB |
封装 / 箱体 | 200 PIN FBGA |
工作电压 | 1.8 / 1.1 / 0.6 V |
工作温度 | -25°C ~ +85 °C |
速率 | 4266 Mbps |
架构 | x32 |
全新原包原装可含税（香港可交）
NT5CC128M16JR-EK | NANYA/南亚 |
NT5AD512M16C4-HR | NANYA/南亚 |
NT5AD512M16A4-HR | NANYA/南亚 |
NT5AD256M16D4-HR | NANYA/南亚 |
KMGX6001BA-B514 | SAMSUNG/三星 |
KMGP6001BA-B514 | SAMSUNG/三星 |
KMFN60012M-B214 | SAMSUNG/三星 |
KMDX60018M-B425 | SAMSUNG/三星 |
KLMDG8JENB-B041 | SAMSUNG/三星 |
KLMCG4JETD-B041 | SAMSUNG/三星 |
KLMBG2JETD-B041 | SAMSUNG/三星 |
KLMAG1JETD-B041 | SAMSUNG/三星 |
KLM8G1GETF-B041 | SAMSUNG/三星 |
KLM4G1FETE-B041 | SAMSUNG/三星 |
K9F1G08U0E-SIB0 | SAMSUNG/三星 |
K4Z80325BC-HC14 | SAMSUNG/三星 |
H5TQ4G63CFR-RDC | SK HYNIX/海力士 |
H5TQ2G83GFR-RDC | SK HYNIX/海力士 |
H5TQ2G63GFR-TEC | SK HYNIX/海力士 |
H5TC4G63EFR-RDA | SK HYNIX/海力士 |
H5TC2G83GFR-PBA | SK HYNIX/海力士 |
H5TC2G63GFR-PBA | SK HYNIX/海力士 |
H5AN8G6NCJR-VKC | SK HYNIX/海力士 |
H5AN4G6NBJR-VKC | SK HYNIX/海力士 |
H5AN4G6NBJR-UHC | SK HYNIX/海力士 |
H26M41208HPR | SK HYNIX/海力士 |
H26M41204HPR | SK HYNIX/海力士 |
MTFC8GAKAJCN-4MIT | MICRON/镁光 |
MTFC4GACAJCN-4MIT | MICRON/镁光 |
MTFC4GACAJCN-1MWT | MICRON/镁光 |
MT53E256M32D2DS-053WT:B | MICRON/镁光 |
MT53D512M64D4HR-053WT:D | MICRON/镁光 |
MT53D512M32D2DS-053WT:D | MICRON/镁光 |
MT52L512M32D2PF-107WT:B | MICRON/镁光 |
MT52L256M32D1PF-107WT:B | MICRON/镁光 |
MT41K64M16TW-107:J | MICRON/镁光 |
MT41K64M16TW-107IT:J | MICRON/镁光 |
MT41K512M8DA-107:P | MICRON/镁光 |
MT41K256M16TW-107:P | MICRON/镁光 |
MT41K256M16TW-107IT:P | MICRON/镁光 |
询价
