DRAM（MOS型动态存储器）_元器件产品_深圳市迅丰达电子科技有限公司

企业信息

深圳市迅丰达电子科技有限公司

卖家积分： 4001分-5000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

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电源IC(214)

>LDO(13)
>DC-AC(2)
>DC-DC(50)
>LED驱动IC(20)
>稳压IC(26)
>充电管理IC(2)
>其他电源IC(101)

半导体存储器(708)

二极管(26)

三极管(6)

>贴片/片式/SMD三极管(1)
>其他三极管(5)

场效应管MOSFET(50)

可控硅IGBT(6)

单片机(114)

>单片机MCU(114)

电感器(4)

>贴片电感(4)

传感器(13)

元器件产品

原装H9HCNNNCPUMLHR-NME 动态随机存储器

型号:H9HCNNNCPUMLHR-NME 制造商:SK Hynix /海力士封装:FBGA 批次:23+ 无铅/环保:无铅/环保

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联系人：陈小姐

电话：13824331138

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MT41K512M16HA-107G:A 原装 LPDDR3

型号:MT41K512M16HA-107G:A 制造商:MICRON/美光封装:FBGA 批次:21+/22+ 无铅/环保:无铅/环保

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联系人：陈小姐

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NT5CC256M16EP-EK LPDDR3 动态随机存储器

型号:NT5CC256M16EP-EK 制造商:NANYA/南亚封装:VFBGA-96 批次:21+ 电压:1.35V

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原装MT41K256M16TW-107 IT:P全新 LPDDR3

型号:MT41K256M16TW-107 IT:P 制造商:MICRON/镁光封装:FBGA 批次:21+/22+ 引脚数:96

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联系人：陈小姐

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原装H5TQ2G83GFR-RDC DDR3

型号:H5TQ2G83GFR-RDC 制造商:SK Hynix /海力士封装:BGA 批次:21+/22+ 无铅/环保:无铅/环保

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传感器(13)

继电器(1)

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元器件产品

原装H9HCNNNCPUMLHR-NME 动态随机存储器

MT41K512M16HA-107G:A 原装 LPDDR3

NT5CC256M16EP-EK LPDDR3 动态随机存储器

原装MT41K256M16TW-107 IT:P全新 LPDDR3

原装H5TQ2G83GFR-RDC DDR3