第46页_半导体存储器_元器件产品_深圳市迅丰达电子科技有限公司

企业信息

深圳市迅丰达电子科技有限公司

卖家积分： 4001分-5000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

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优势库存(1000)

普通库存(2361)

今日特价(5)

集成电路(IC)(321)

电源IC(214)

>LDO(13)
>DC-AC(2)
>DC-DC(50)
>LED驱动IC(20)
>稳压IC(26)
>充电管理IC(2)
>其他电源IC(101)

半导体存储器(708)

二极管(26)

三极管(6)

>贴片/片式/SMD三极管(1)
>其他三极管(5)

场效应管MOSFET(50)

可控硅IGBT(6)

单片机(114)

>单片机MCU(114)

电感器(4)

>贴片电感(4)

传感器(13)

元器件产品

原装供应K9F1G08U0E-SIB0 SLC NAND

型号:K9F1G08U0E-SIB0 制造商:SAMSUNG/三星封装:TSOP 批次:21+ 引脚数:48

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联系人：陈小姐

电话：13824331138

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供应原装H5TQ4G63EFR-TEC 4Gb DDR3 SDRAM

型号:H5TQ4G63EFR-TEC 制造商:SK Hynix 电压:1.5V 批次:22+ 封装:FBGA

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供应H5TQ4G63EFR-RDC DDR3

型号:H5TQ4G63EFR-RDC DDR3 制造商:SK HYNIX 电压:1.5V ~ 1.75V 批次:21+22+ 封装:FBGA

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供应原装H5TQ2G63GFR-TEC DDR3 SDRAM

型号:H5TQ2G63GFR-TEC 制造商:SK Hynix 电压:1.5V 批次:22+ 封装:FBGA

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供应原装H5AN8G6NCJR-VKC 8Gb DDR4 SDRAM

型号:5AN8G6NCJR-VKC 制造商:SK Hynix 电压:1.2V 批次:22+ 封装:FBGA 速度:1333 MHZ 温度:0°C~+95°C 包装量:1600 无铅/环保:无铅/环保

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原装H5TC2G83GFR-PBA DDR3L

型号:H5TC2G83GFR-PBA 制造商:SK Hynix 电压:1.35V/1.5V 批次:22+ 封装:BGA

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供应原装H5TC2G63GFR-PBA DDR3L

型号:H5TC2G63GFR-PBA 制造商:SK Hynix 电压:1.35V 批次:22+ 封装:FBGA

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供应 W25Q128JVSIQ Winbond NOR闪存

型号:W25Q128JVSIQ 制造商:Winbond 电压:3V 批次:21+22+ 封装:SOIC-8

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原装W29N01HVSINA NAND FLASH

型号:W29N01HVSINA 制造商:WINBOND 电压:2.7 V ~ 3.6 V 批次:21+22+ 封装:TSOP-48

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原装 H5TC4G63EFR-RDA LPDDR3

型号:H5TC4G63EFR-RDA 制造商:SK HYNIX/海力士电压:1.35v 批次:21+22+ 封装:FBGA-96

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原装SST39VF800A-70-4I-EKE NAND FLASH

型号:SST39VF800A-70-4I-EKE 制造商:Microchip Technology 封装:TSOP-48 电源电压:2.7V ~ 3.6V 批次:21+22+

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原装MT40A512M16LY-075:E DDR4

型号:MT40A512M16LY-075:E 制造商:Micron 电压:1.14V ~ 1.26V 批次:21+22+ 封装:-TFBGA

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原装MT29F2G08ABAEAWP:E NAND FLASH

型号:MT29F2G08ABAEAWP:E 制造商:Micron Technology Inc. 批次:21+22+ 电压:2.7V ~ 3.6V 封装:TSOP 针脚数:48

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原装MT29F2G01ABAGDWB-IT:G NAND FLASH

型号:MT29F2G01ABAGDWB-IT:G 制造商:Micron 电压:2.7 V ~3.6 V 批次:21+22+ 封装:U-PDFN-8

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全新MT41K256M16TW-107AIT:P LPDDR3

型号:MT41K256M16TW-107AIT:P 制造商:MICRON/镁光封装:FBGA 批次:21+/22+ 引脚数:96

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